삼성전자가 2026년 7월 27일, 차세대 인공지능(AI) 메모리인 HBM5의 핵심 부품에 업계 최초로 2나노미터(nm·10억분의 1m) 공정을 도입한다고 발표하며 기술 격차 벌리기에 나섰다.

삼성전자는 이번 공정 도입을 통해 HBM5의 동작 속도를 직전 세대 대비 50% 이상 끌어올린다는 목표를 세웠습니다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 같은 날 열린 발표에서 "업계 요구에 대응하기 위해 HBM5 베이스 다이는 GAA(Gate-All-Around) 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더 높은 집적도의 TSV(실리콘 관통 전극)를 구현할 예정"이라고 공식화했습니다. 베이스 다이는 HBM의 가장 아래층에서 데이터 통로 역할을 하는 핵심 부품인데, 여기에 최첨단 2나노 공정을 쓰는 것은 업계에서 처음 있는 일입니다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 속도를 높인 메모리입니다. 여기서 베이스 다이는 전체 칩의 속도와 전력 효율을 결정짓는 핵심적인 역할을 맡죠. 삼성전자는 이미 지난 2월 세계 최초로 HBM4 양산을 시작한 데 이어 5월에는 HBM4E 샘플을 출하하는 등 속도를 내고 있습니다. 이번에 발표된 HBM5 계획은 직전 제품인 HBM4E보다 약 50% 이상 성능과 전력 효율을 높이는 데 초점을 맞추고 있습니다. 기존 HBM4와 HBM4E의 베이스 다이가 4나노 공정을 기반으로 했던 것과 비교하면 비약적인 공정 전환이라 할 수 있습니다.

“속도가 곧 경쟁력” 14Gbps 넘어 50% 추가 향상 도전

삼성이 꺼내든 2나노 공정의 핵심은 ‘GAA’ 기술입니다. GAA는 전류가 흐르는 통로의 4면을 모두 감싸 전력 효율을 극대화하는 방식인데, 삼성전자는 이를 통해 동작 속도는 물론 전력 관리 효율에서도 큰 폭의 개선을 이끌어내겠다는 계산입니다. 현재 삼성전자가 확보한 HBM4의 데이터 처리 속도는 14Gbps 수준입니다. 구 부사장은 "HBM5는 직전 세대보다도 동작 속도를 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 최선단 공정 준비를 강조했습니다.

삼성전자는 이미 2나노 1세대 공정 양산을 시작한 상태입니다. 여기서 멈추지 않고 2026년 하반기에는 수율(합격품 비율)과 성능을 한층 개선한 2나노 2세대 공정 기반의 모바일향 신제품 양산도 준비하고 있습니다. 이러한 파운드리(반도체 위탁생산) 기술력을 HBM 베이스 다이에 이식해 메모리 반도체 시장에서의 리더십을 공고히 하겠다는 전략으로 보입니다.

SK하이닉스 ‘역대급’ 실적 예고 속 뜨거워지는 AI 시장

시장의 눈은 경쟁사인 SK하이닉스로도 향하고 있습니다. SK하이닉스 역시 2분기 역대급 실적을 발표할 것으로 예상되는 등 AI 반도체 시장의 열기는 식을 줄 모르고 있습니다. 업계에서는 고성능 AI 칩 수요가 폭발적으로 증가하면서 두 회사의 기술 경쟁이 더욱 가속화되고 있다고 평가합니다. SK하이닉스가 실적 면에서 성과를 내는 가운데, 삼성전자는 ‘차세대 공정 선점’이라는 카드로 맞불을 놓은 모양새입니다.

삼성전자의 이번 발표가 있은 날인 7월 27일, 삼성전자의 주가는 전일 대비 1.80% 오른 25만 4,000원에 거래를 마쳤습니다. SK하이닉스 역시 3.24% 상승한 181만 6,000원을 기록하며 AI 반도체 테마의 강세를 반영했습니다. 전반적인 코스피 지수가 6,755.75로 전일 대비 0.97% 상승한 가운데, 반도체 대형주들이 시장 상승을 견인한 것으로 나타났습니다.

삼성전자가 2026년 7월 27일, 차세대 인공지능(AI) 메모리인 HBM5의 핵심 부품에 업계 최초로 2나노미터(nm·10억분의 1m) 공정을 도입한다고 발표하며 기술 격차 벌리기에 나섰다.

삼성전자는 이번 공정 도입을 통해 HBM5의 동작 속도를 직전 세대 대비 50% 이상 끌어올린다는 목표를 세웠습니다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 같은 날 열린 발표에서 "업계 요구에 대응하기 위해 HBM5 베이스 다이는 GAA(Gate-All-Around) 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더 높은 집적도의 TSV(실리콘 관통 전극)를 구현할 예정"이라고 공식화했습니다. 베이스 다이는 HBM의 가장 아래층에서 데이터 통로 역할을 하는 핵심 부품인데, 여기에 최첨단 2나노 공정을 쓰는 것은 업계에서 처음 있는 일입니다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 속도를 높인 메모리입니다. 여기서 베이스 다이는 전체 칩의 속도와 전력 효율을 결정짓는 핵심적인 역할을 맡죠. 삼성전자는 이미 지난 2월 세계 최초로 HBM4 양산을 시작한 데 이어 5월에는 HBM4E 샘플을 출하하는 등 속도를 내고 있습니다. 이번에 발표된 HBM5 계획은 직전 제품인 HBM4E보다 약 50% 이상 성능과 전력 효율을 높이는 데 초점을 맞추고 있습니다. 기존 HBM4와 HBM4E의 베이스 다이가 4나노 공정을 기반으로 했던 것과 비교하면 비약적인 공정 전환이라 할 수 있습니다.

“속도가 곧 경쟁력” 14Gbps 넘어 50% 추가 향상 도전

삼성이 꺼내든 2나노 공정의 핵심은 ‘GAA’ 기술입니다. GAA는 전류가 흐르는 통로의 4면을 모두 감싸 전력 효율을 극대화하는 방식인데, 삼성전자는 이를 통해 동작 속도는 물론 전력 관리 효율에서도 큰 폭의 개선을 이끌어내겠다는 계산입니다. 현재 삼성전자가 확보한 HBM4의 데이터 처리 속도는 14Gbps 수준입니다. 구 부사장은 "HBM5는 직전 세대보다도 동작 속도를 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 최선단 공정 준비를 강조했습니다.

삼성전자는 이미 2나노 1세대 공정 양산을 시작한 상태입니다. 여기서 멈추지 않고 2026년 하반기에는 수율(합격품 비율)과 성능을 한층 개선한 2나노 2세대 공정 기반의 모바일향 신제품 양산도 준비하고 있습니다. 이러한 파운드리(반도체 위탁생산) 기술력을 HBM 베이스 다이에 이식해 메모리 반도체 시장에서의 리더십을 공고히 하겠다는 전략으로 보입니다.

SK하이닉스 ‘역대급’ 실적 예고 속 뜨거워지는 AI 시장

시장의 눈은 경쟁사인 SK하이닉스로도 향하고 있습니다. SK하이닉스 역시 2분기 역대급 실적을 발표할 것으로 예상되는 등 AI 반도체 시장의 열기는 식을 줄 모르고 있습니다. 업계에서는 고성능 AI 칩 수요가 폭발적으로 증가하면서 두 회사의 기술 경쟁이 더욱 가속화되고 있다고 평가합니다. SK하이닉스가 실적 면에서 성과를 내는 가운데, 삼성전자는 ‘차세대 공정 선점’이라는 카드로 맞불을 놓은 모양새입니다.

삼성전자의 이번 발표가 있은 날인 7월 27일, 삼성전자의 주가는 전일 대비 1.80% 오른 25만 4,000원에 거래를 마쳤습니다. SK하이닉스 역시 3.24% 상승한 181만 6,000원을 기록하며 AI 반도체 테마의 강세를 반영했습니다. 전반적인 코스피 지수가 6,755.75로 전일 대비 0.97% 상승한 가운데, 반도체 대형주들이 시장 상승을 견인한 것으로 나타났습니다.