마이크론 테크놀로지가 차세대 D램 미세화의 핵심으로 꼽혀 온 '4F²' 셀 구조 도입을 접었습니다. 21일(현지시간) 열린 기술 웨비나에서 향후 10년의 메모리 개발 노선을 담은 로드맵을 공개했는데요, 기존 6F² 구조를 이어 가면서 웨이퍼 본딩과 3차원(3D) 적층 기술에 개발 역량을 모으겠다는 내용입니다.

4F²는 D램의 기본 단위인 셀의 면적을 6F²에서 4F²로 줄여 칩 면적을 축소하고 집적도를 높이려는 구조입니다. 삼성전자와 SK하이닉스는 10나노 이하 0a·0b 공정의 물리적 한계를 넘기 위해 수직 채널 트랜지스터(VCT) 기반의 4F² 구조를 연구하고 있습니다.

마이크론은 발표 자료에 “20년 이상 4F²를 연구했으나 실행 가능한 스케일링 경로가 없다”고 적었습니다. 발표자로 나선 스콧 드보어 사장 겸 최고기술·제품책임자(CTPO)는 “4F² 스케일링에는 근본적인 문제들이 있다”고 말했습니다. 6F²보다 밀도 면에서 유리하다는 평가에 대해서도 “약간 신화에 가깝다”고 선을 그었습니다.

1델타·1엡실론 양산 일정

4F²를 건너뛴 자리에는 새 양산 일정이 들어갔습니다. 마이크론은 현재 주력인 1감마(1γ)에 이어, 2027년 하반기 미국 아이다호주 보이시에서 1델타(1δ) D램 양산에 들어갈 계획입니다. 6F² 계열 후속 노드인 1엡실론(1ε)에는 웨이퍼 본딩 기술을 본격 적용하며, 이 노드의 개발은 순조롭게 진행되고 있다고 설명했습니다.

1제타(1ζ)와 1에타(1η) 노드 사이에는 3D D램(3D1·3D2)이 공식 로드맵에 올랐습니다. 마이크론은 High-NA(고개구율) 극자외선(EUV) 노광 장비 활용과 신소재 탐색을 함께 진행하되, 경제성이 확보되는 시점에 3D D램을 상용 라인에 바로 투입할 수 있도록 준비하겠다는 입장입니다. 노광 장비는 회로 패턴을 웨이퍼에 새기는 장비이고, 고개구율 EUV는 더 미세한 패턴을 새기도록 설계된 차세대 모델입니다.

버티컬 HBM 공개

패키징과 고대역폭메모리(HBM) 분야에서는 '버티컬 HBM'이 처음 공개됐습니다. 기존 HBM은 인터포저라는 중간 기판 위에서 프로세서(XPU) 옆에 나란히 놓였습니다. 버티컬 HBM은 프로세서 바로 위에 메모리를 직접 얹고, 간격을 촘촘히 좁힌 하이브리드 본딩으로 접합하는 구조입니다.

4F² 구조를 두고는 중국 창신메모리(CXMT)도 움직이고 있습니다. CXMT는 최근 4F² 구조를 적용한 서버용 D램의 상용화 계획을 내놨습니다.